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SI2302ADS-T1-E3
来自 AiPCBA

SI2302ADS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PDF文件:SI2302ADS-T1-E3 数据手册 (2 页)
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SI2302ADS-T1-E3 数据手册 (2 页)
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SI2302ADS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
漏源极电阻0.045 Ω
极性N-Channel
功耗0.7 W
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
连续漏极电流(Ids)2.40 A, 2.10 A
上升时间80 ns
输出功率700 mW
热阻140℃/W (RθJA)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI2302ADS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
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SI2302ADS-T1-E3 数据手册

SI2302ADS-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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