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SI2302ADS-T1-GE3
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SI2302ADS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:VISHAY  SI2302ADS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1A, 20V, 700mW
PDF文件:SI2302ADS-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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SI2302ADS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2302ADS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻45 mΩ
极性N-Channel
功耗700 mW
阈值电压950 mV
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)2.10 A
工作温度(Max)150 ℃
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SI2302ADS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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SI2302ADS-T1-GE3 数据手册

SI2302ADS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.19 MByte
SI2302ADS-T1-GE3 其他数据使用手册
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