| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.045 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 710 mW |
| 阈值电压 | 850 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.90 A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 额定功率(Max) | 710 mW |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 860 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.60 mm |
| 高度 | 1.45 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 3000 |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.65-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 900mW/0.9W Description & Applications| N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET 描述与应用| N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET
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N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2302CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV
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