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SI2302DDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET
PDF文件:SI2302DDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在6 页7 页
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SI2302DDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2302DDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.045 Ω
极性N-Channel
功耗710 mW
阈值电压850 mV
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)2.9A
上升时间7 ns
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)710mW (Ta)
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SI2302DDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI2302DDS-T1-GE3 数据手册

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.19 MByte
SI2302DDS-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.19 MByte
SI2302DDS-T1-GE3 产品修订记录
VISHAY（威世）
3 页 / 0.08 MByte

SI2302DDST1 数据手册

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET
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VISHAY  SI2302DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
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