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SI2303BDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2303BDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:VISHAY  SI2303BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -1.49A, -30V, 700mW
PDF文件:SI2303BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)封装尺寸在6 页7 页
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SI2303BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI2303BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻200 mΩ
极性P-Channel
功耗700 mW
漏源极电压(Vds)-30.0 V
连续漏极电流(Ids)-1.49 A
工作温度(Max)150 ℃
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SI2303BDS-T1-GE3 数据手册

SI2303BDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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