| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-236 |
| 输入电容值(Ciss) | 147pF @10V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.83 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.117Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W Description & Applications| N-channel enhancement mode field-effect transistor N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 echnology TrenchMOS™ technology Very fast switching Subminiature surface mount package. 描述与应用| N沟道增强型场效应晶体管 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™1技 TrenchMOS™技术 开关速度非常快 超小型表面贴装封装
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