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SI2305ADS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-236
描述:VISHAY  SI2305ADS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 4.1A, TO-236
PDF文件:SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 (10 页)封装尺寸在7 页8 页
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SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI2305ADS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-236
针脚数3 Position
漏源极电阻88 mΩ
极性P-Channel
功耗960 mW
漏源极电压(Vds)-8.00 V
连续漏极电流(Ids)-4.10 A
工作温度(Max)150 ℃
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SI2305ADS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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SI2305ADS-T1-GE3 数据手册

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.19 MByte
SI2305ADS-T1-GE3 其他数据使用手册
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SI2305ADS-T1-GE3 产品修订记录
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