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SI2305ADS-T1-GE3
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SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:SOT-23-3
描述:P沟道8 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
PDF文件:SI2305ADS-T1-GE3 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI2305ADS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.088 Ω
功耗960 mW
阈值电压800 mV
漏源极电压(Vds)8 V
输入电容值(Ciss)740pF @4V(Vds)
额定功率(Max)1.7 W
工作温度(Max)150 ℃
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SI2305ADS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-50℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI2305ADS-T1-GE3 数据手册

SI2305ADS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
7 页 / 0.11 MByte
SI2305ADS-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
7 页 / 0.13 MByte
SI2305ADS-T1-GE3 产品修订记录
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2 页 / 0.09 MByte

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