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SI2305CDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23
描述:VISHAY  SI2305CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:SI2305CDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)封装尺寸在7 页8 页
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SI2305CDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI2305CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻0.028 Ω
极性P-Channel
功耗1.7 W
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)960pF @4V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.96 W
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SI2305CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2305CDS-T1-GE3 数据手册

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.21 MByte
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SI2305CDS-T1-GE3 产品修订记录
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2 页 / 0.09 MByte

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