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SI2305DS-T1-E3
来自 AiPCBA

SI2305DS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-236
描述:VISHAY  SI2305DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
PDF文件:SI2305DS-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI2305DS-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI2305DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-236
额定功率1.25 W
针脚数3 Position
漏源极电阻52 mΩ
极性P-Channel
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)-8.00 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)3.50 A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI2305DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2305DS-T1-E3 数据手册

SI2305DS-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
5 页 / 0.07 MByte
SI2305DS-T1-E3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.13 MByte
SI2305DS-T1-E3 产品修订记录
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2 页 / 0.18 MByte

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