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SI2305DS-T1-E3
来自 AiPCBA

SI2305DS-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
PDF文件:SI2305DS-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI2305DS-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI2305DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
额定功率1.25 W
针脚数3 Position
漏源极电阻52 mΩ
极性P-CH
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)8 V
连续漏极电流(Ids)3.5A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)1245pF @4V(Vds)
额定功率(Max)1.25 W
下降时间19 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI2305DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI2305DS-T1-E3 数据手册

SI2305DS-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
5 页 / 0.07 MByte
SI2305DS-T1-E3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.19 MByte
SI2305DS-T1-E3 产品修订记录
VISHAY（威世）
2 页 / 0.18 MByte

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