| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 0.044 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | 8 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.50 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1245pF @4V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
表面贴装型 P 通道 8 V 3.5A（Ta） SOT-23-3（TO-236）
Vishay Siliconix
2 页 / 0.04 MByte
Vishay Siliconix
5 页 / 0.08 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte
VISHAY（威世）
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P沟道1.25 W， 1.8 V（G -S ）的MOSFET P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
