| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | TO-236 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.057Ω/Ohm @3.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.25W Description & Applications| N-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested 描述与应用| N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET 100％的Rg测试
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