类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.073 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.1 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | -2.70 A |
上升时间 | 40 ns |
输入电容值(Ciss) | 340pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.8 W |
下降时间 | 17 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1100 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 3000 |
SI2307CDS-T1-GE3 是一款-30V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。适用于便携式设备负载开关应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
● 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
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P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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VISHAY SI2307CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V
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