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SI2308CDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2308CDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:SOT-23
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SI2308CDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI2308CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装SOT-23
针脚数3 Position
漏源极电阻0.12 Ω
功耗0.9 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)60 V
输入电容值(Ciss)105pF @30V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900 mW
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SI2308CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
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SI2308CDS-T1-GE3 数据手册

SI2308CDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.23 MByte

SI2308CDST1 数据手册

SI2308CDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 V
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