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SI2318CDS-T1-GE3
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SI2318CDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:SI2318CDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)封装尺寸在7 页8 页
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SI2318CDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI2318CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.036 Ω
极性N-Channel
功耗1.25 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)5.6A
反向恢复时间15 ns
正向电压(Max)1.2 V
输入电容值(Ciss)340pF @20V(Vds)
额定功率(Max)2.1 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
工作结温-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)2.1 W
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SI2318CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI2318CDS-T1-GE3 数据手册

SI2318CDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.22 MByte
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VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2318CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V
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