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SI2318CDS-T1-GE3
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SI2318CDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-236
描述:VISHAY  SI2318CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SI2318CDS-T1-GE3 数据手册 (11 页)封装尺寸在7 页8 页
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SI2318CDS-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI2318CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-236
针脚数3 Position
漏源极电阻0.036 Ω
极性N-Channel
功耗750 mW
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)40 V
输入电容值(Ciss)340pF @20V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.1 W
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SI2318CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2318CDS-T1-GE3 数据手册

SI2318CDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
11 页 / 0.23 MByte
SI2318CDS-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.23 MByte
SI2318CDS-T1-GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.09 MByte

SI2318CDST1 数据手册

SI2318CDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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