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SI2318DS-T1-E3/BKN
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SI2318DS-T1-E3/BKN 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-236
PDF文件:SI2318DS-T1-E3/BKN 数据手册 (5 页)
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SI2318DS-T1-E3/BKN 数据手册 (5 页)
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SI2318DS-T1-E3/BKN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-236
漏源极电阻0.058 Ω
功耗1.25 W
输入电容540pF @20V
漏源极电压(Vds)40 V
漏源击穿电压40 V
热阻100℃/W (RθJA)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI2318DS-T1-E3/BKN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
长度3.04 mm
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2318DS-T1-E3/BKN 数据手册

SI2318DS-T1-E3/BKN 数据手册
Vishay Siliconix
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