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SI2318DS-T1-GE3
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
PDF文件:SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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焊盘图
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2318DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
极性N-Channel
功耗0.75 W
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)3.00 A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)540pF @20V(Vds)
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)750mW (Ta)
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SI2318DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.6 mm
高度1.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI2318DS-T1-GE3 数据手册

SI2318DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
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