| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 195 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.15 A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 额定功率(Max) | 730 mW |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 3000 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2328DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2328DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 195 mohm, 10 V, 4 V
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