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SI2356DS-T1-GE3
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
PDF文件:SI2356DS-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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焊盘图
引脚图
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI2356DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
漏源极电阻0.042 Ω
极性N-Channel
功耗1.7 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)40 V
工作温度(Max)150 ℃
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SI2356DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.6 mm
高度1.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册

SI2356DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
11 页 / 0.22 MByte
SI2356DS-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.22 MByte
SI2356DS-T1-GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.09 MByte

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