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SI2356DS-T1-GE3
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 40 V, 0.042 ohm, 10 V, 1.5 V
PDF文件:SI2356DS-T1-GE3 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI2356DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.042 Ω
极性N-Channel
功耗0.96 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)4.3A
上升时间52 ns
输入电容值(Ciss)370pF @20V(Vds)
下降时间53 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)960mW (Ta), 1.7W (Tc)
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SI2356DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册

SI2356DS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.19 MByte
SI2356DS-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.19 MByte
SI2356DS-T1-GE3 产品修订记录
VISHAY（威世）
2 页 / 0.09 MByte

SI2356DST1 数据手册

SI2356DS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 40 V, 0.042 ohm, 10 V, 1.5 V
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