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SI2356DS-T1-GE3
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
PDF文件:SI2356DS-T1-GE3 数据手册 (10 页)封装尺寸在7 页8 页
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI2356DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-23-3
功耗960mW (Ta), 1.7W (Tc)
漏源极电压(Vds)40 V
输入电容值(Ciss)370pF @20V(Vds)
耗散功率(Max)960mW (Ta), 1.7W (Tc)
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SI2356DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI2356DS-T1-GE3 数据手册

SI2356DS-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
10 页 / 0.22 MByte
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SI2356DST1 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 40 V, 0.042 ohm, 10 V, 1.5 V
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