最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -3.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.067Ω @-3.3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45V-0.95V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 描述与应用| P沟道2.5-V（G-S）的MOSFET
VISHAY（威世）
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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VISHAY SI3441BDV-T1-GE3 晶体管, P沟道
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