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SI3443CDV-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI3443CDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP
描述:VISHAY  SI3443CDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.97 A, -20 V, 50 mohm, -4.5 V, -600 mV
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SI3443CDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI3443CDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP
针脚数6 Position
漏源极电阻0.05 Ω
极性P-Channel
功耗3.2 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)-4.70 A, 3.90 A
输入电容值(Ciss)610pF @10V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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SI3443CDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
高度1 mm
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SI3443CDV-T1-GE3 数据手册

SI3443CDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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