| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.054 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -4.00 A |
| 上升时间 | 19 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 640pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.2 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.86 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.14 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI3443DV 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -700 mV
VISHAY（威世）
单 P沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -700 mV
VISHAY（威世）
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY（威世）
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON SI3443DVTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 4.4 A, -20 V, 0.034 ohm, 4.5 V, -1.2 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI3443CDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.97 A, -20 V, 50 mohm, -4.5 V, -600 mV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
