| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | TSOP |
| 漏源极电阻 | 42.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.00 W |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -5.60 A to 5.60 A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.034Ω @-5.6A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45V-1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 描述与应用| P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
VISHAY（威世）
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