Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > SI3456BDV-T1-E3 Datasheet 文档
SI3456BDV-T1-E3
来自 AiPCBA

SI3456BDV-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
描述:VISHAY  SI3456BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
PDF文件:SI3456BDV-T1-E3 数据手册 (10 页)封装尺寸在6 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI3456BDV-T1-E3 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI3456BDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
针脚数6 Position
漏源极电阻35 mΩ
极性N-Channel
功耗700 mW
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间15 ns
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
查看数据手册 >

SI3456BDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.1 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

SI3456BDV-T1-E3 数据手册

SI3456BDV-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.17 MByte
SI3456BDV-T1-E3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
11 页 / 0.18 MByte

SI3456BDVT1 数据手册

SI3456BDV-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI3456BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
SI3456BDV-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI3456BDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI3456BDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI3456BDV-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
SI3456BDV-T1-E3 数据手册
Visay
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet