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SI3456BDV-T1-E3
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SI3456BDV-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
PDF文件:SI3456BDV-T1-E3 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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SI3456BDV-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI3456BDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
漏源极电阻0.052 Ω
极性N-Channel
功耗1.1 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.1W (Ta)
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SI3456BDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.1 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI3456BDV-T1-E3 数据手册

SI3456BDV-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
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