| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TSOP |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.1A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 7.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.034Ω/Ohm @6.1A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 3.3W Description & Applications| N沟道30-V（D-S）的MOSFET FEATURES • TrenchFET Power MOSFET 描述与应用| N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET
VISHAY（威世）
11 页 / 0.21 MByte
VISHAY（威世）
11 页 / 0.18 MByte
VISHAY（威世）
N沟道30-V（D-S）的MOSFET功率MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
