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SI3456DDV-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
描述:VISHAY  SI3456DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
PDF文件:SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)封装尺寸在7 页
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SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI3456DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.033 Ω
极性N-Channel
功耗1.7 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间13 ns
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI3456DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI3456DDV-T1-GE3 数据手册

SI3456DDV-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
11 页 / 0.19 MByte
SI3456DDV-T1-GE3 其他数据使用手册
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