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SI3456DDV-T1-GE3
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SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
描述:N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PDF文件:SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
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SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI3456DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
针脚数6 Position
漏源极电阻33 mΩ
极性N-Channel
功耗1.7 W
阈值电压1.2 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)5A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)325pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.7 W
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI3456DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI3456DDV-T1-GE3 数据手册

SI3456DDV-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
11 页 / 0.19 MByte
SI3456DDV-T1-GE3 产品修订记录
VISHAY（威世）
3 页 / 0.08 MByte

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