类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -4.00 A |
封装 | TSOT-23-6 |
漏源极电阻 | 0.05 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.6 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 470pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 800 mW |
下降时间 | 6 ns |
耗散功率(Max) | 1.6W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
SI3457DV系列 P沟道 30 V 50 mOhms 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI3457BDV-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -3 V
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