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SI3473CDV-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI3473CDV-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:SI3473CDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI3473CDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.016 Ω
极性P-Channel
功耗2 W
输入电容2010 pF
漏源极电压(Vds)12 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)2010pF @6V(Vds)
额定功率(Max)4.2 W
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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SI3473CDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI3473CDV-T1-GE3 数据手册

SI3473CDV-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
11 页 / 0.24 MByte
SI3473CDV-T1-GE3 其他数据使用手册
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