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SI3473DDV-T1-GE3
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SI3473DDV-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:TSOP
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.0145 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:SI3473DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI3473DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数6 Pin
封装TSOP
针脚数6 Position
漏源极电阻0.0145 Ω
功耗3.6 W
上升时间28 ns
输入电容值(Ciss)1975pF @6V(Vds)
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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SI3473DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
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SI3473DDV-T1-GE3 数据手册

SI3473DDV-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
11 页 / 0.24 MByte
SI3473DDV-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
11 页 / 0.24 MByte

SI3473DDVT1 数据手册

SI3473DDV-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.0145 ohm, -4.5 V, -1 V
SI3473DDV-T1-GE3 数据手册
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