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SI3473DDV-T1-GE3
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SI3473DDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
封装:TSOT-23-6
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI3473DDV-T1-GE3 数据手册
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SI3473DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOT-23-6
功耗3.6W (Tc)
漏源极电压(Vds)12 V
输入电容值(Ciss)1975 pF
耗散功率(Max)3.6W (Tc)

SI3473DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI3473DDV-T1-GE3 数据手册

SI3473DDV-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
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SI3473DDVT1 数据手册

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VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -12 V, 0.0145 ohm, -4.5 V, -1 V
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