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SI3473DV-T1-E3
来自 AiPCBA

SI3473DV-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TSOP-6
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:SI3473DV-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI3473DV-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI3473DV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOP-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.019 Ω
极性P-Channel
功耗1.1 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)12 V
连续漏极电流(Ids)-5.90 A
上升时间50 ns
额定功率(Max)1.1 W
下降时间110 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI3473DV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI3473DV-T1-E3 数据手册

SI3473DV-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.11 MByte
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VISHAY（威世）
10 页 / 0.19 MByte

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