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SI4010DY-T1-GE3

器件3D模型￥ 2.370

来自 AiPCBA

SI4010DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:	VISHAY（威世）
分类:	MOS管
封装:	SOIC-8
PDF文件:	SI4010DY-T1-GE3 数据手册 (156 页)引脚图在1 页 18 页 109 页Hot 封装尺寸在22 页 23 页典型应用电路图在14 页 110 页 156 页原理图在2 页 12 页 13 页 14 页 33 页 36 页 50 页 55 页 117 页 123 页 128 页 133 页 134 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

SI4010DY-T1-GE3 数据手册 (156 页)

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SI4010DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
封装	SOIC-8
漏源极电阻	3.4 mΩ
极性	N-CH
阈值电压	1 V
漏源极电压(Vds)	30 V
连续漏极电流(Ids)	31.3A

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SI4010DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
最小包装数量	2500

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SI4010DY-T1-GE3 数据手册

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