| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.018 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16.1A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3007pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 6.3 W |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
SI4401DDY-T1-GE3 是一款40VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关和POL应用。
● 100％Rg经过测试
● 100％UIS经过测试
● 无卤素
● 工作温度范围: -55至150°C
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4401DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V
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