| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SO |
| 漏源极电阻 | 15.5 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.50 W |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 8.7A |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
单 P 沟道 40 V 0.014 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4401DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4401DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V
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