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SI4401DY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4401DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:VISHAY  SI4401DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V
PDF文件:SI4401DY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI4401DY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI4401DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC
针脚数8 Position
漏源极电阻0.013 Ω
极性P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)-40.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)-10.5 A
工作温度(Max)150 ℃
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SI4401DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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SI4401DY-T1-E3 数据手册

SI4401DY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
5 页 / 0.09 MByte
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