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SI4410BDY-T1-E3
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SI4410BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PDF文件:SI4410BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4410BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4410BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.02 Ω
极性N-Channel
功耗2.5 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A, 7.50 A
上升时间10 ns
额定功率(Max)1.4 W
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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SI4410BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2500
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SI4410BDY-T1-E3 数据手册

SI4410BDY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
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