| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 13.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5W (Ta) |
| 输入电容 | 1.35 nF |
| 栅电荷 | 22.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 上升时间 | 20.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1350pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SI4410DYTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4410BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
International Rectifier（国际整流器）
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