类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 10.0 A |
封装 | SOIC-8 |
功耗 | 2.5W (Ta) |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
上升时间 | 7.70 ns |
输入电容值(Ciss) | 1585pF @15V(Vds) |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON SI4410DYTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4410BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
International Rectifier(国际整流器)
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