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SI4410DYTR 技术参数、封装参数

SI4410DYTR 外形尺寸、物理参数、其它

SI4410DYTR 数据手册

Infineon(英飞凌)
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SI4410 数据手册

Microchip(微芯)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4410BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
VISHAY(威世)
SI4410BDY-T1-GE3 编带
International Rectifier(国际整流器)
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