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SI4420BDY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4420BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
PDF文件:SI4420BDY-T1-E3 数据手册 (4 页)
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SI4420BDY-T1-E3 数据手册 (4 页)
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SI4420BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
正向电压750 mV
漏源极电阻0.007 Ω
极性N-Channel
功耗1.4 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
上升时间11 ns
下降时间12 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1400 mW
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SI4420BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
高度1.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4420BDY-T1-E3 数据手册

SI4420BDY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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