| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 0.011 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.4 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.5 A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.24 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
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VISHAY（威世）
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
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