| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 12.5 A |
| 封装 | SO-8 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5W (Ta) |
| 零部件系列 | SI4420DY |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.5 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2240pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 47 ns |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.1 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
6 页 / 3.97 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
VISHAY（威世）
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Infineon（英飞凌）
MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER SI4420DYPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30V, 12.5A, SOIC
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Silicon Labs（芯科）
射频收发器 Sub-GHz transceiver
Fairchild（飞兆/仙童）
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrencha Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
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