类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT |
正向电压 | 1.10 V |
功耗 | 1.50 W |
上升时间 | 13.0 ns |
Vishay Siliconix
6 页 / 0.05 MByte
Vishay Siliconix
5 页 / 0.06 MByte
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER SI4420DYPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30V, 12.5A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Silicon Labs(芯科)
射频收发器 Sub-GHz transceiver
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrencha Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件