| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.009 Ω |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2240pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 47 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.11 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.47 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.56 MByte
VISHAY（威世）
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Infineon（英飞凌）
MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER SI4420DYPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30V, 12.5A, SOIC
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4420BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Silicon Labs（芯科）
射频收发器 Sub-GHz transceiver
Fairchild（飞兆/仙童）
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrencha Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
